本期视频内容是好多年前Games Nexus访问LSI/Sandforce的interview采访记录，关于SSD如何工作的原理以及内部体系架构，对于今天的很多从业工程师还有很多借鉴意义。注意：本次字幕添加的中文部分由于时间关系没有仔细校对有翻译错误，请尽量参考英文字幕。

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该视频讨论了固态硬盘（SSD）的结构和技术，尤其是MLC（多层单元）和TLC（三层单元）NAND闪存的区别及其性能影响。以下是该视频的主要内容总结：

闪存类型的演变：

视频介绍了不同类型的NAND闪存，包括SLC（单层单元）、MLC（多层单元）和TLC（三层单元）NAND。

• SLC闪存只在高端企业级产品中使用，存储1位信息。

• MLC存储更多信息，能存储2位（4个电压级别）。

• TLC存储3位信息（8个电压级别），但随着电压级别的增加，区分电平变得更加困难，因此需要更复杂的纠错技术（ECC）来确保数据的完整性。

MLC相比TLC具有更高的性能和更低的错误率，主要因为它只需要管理4个电压级别，而TLC则需要管理8个。

TLC虽然更便宜，因为同一硅片上可以存储更多位数据，但它速度较慢，错误率更高，需要更多的纠错机制来确保数据的准确性。

SSD控制器的作用：

为了减轻多级闪存的缺点，控制器必须具备强大的纠错能力。视频中提到了最新一代的LSI/Sandforce控制器，可以处理更多的错误并提高闪存的寿命和性能。

在未来，随着NAND闪存技术的进步，3D NAND和VNAND等新技术将出现，它们通过增加垂直层数来提高存储容量和降低错误率。

编程擦除周期的影响：

SSD的寿命取决于其编程和擦除（P/E）周期。每次擦除操作都会削弱闪存单元的寿命，随着循环次数的增加，闪存单元的电荷保持能力会下降。

在MLC和TLC闪存中，电荷保持能力的下降会导致电压级别之间的混淆，从而增加数据出错的可能性。因此，ECC技术的作用就是在一定范围内纠正这些错误，但当错误超过一定数量时，ECC将无法恢复数据。

垃圾回收与预处理：

所有SSD都需要进行垃圾回收。垃圾回收会在SSD中移动数据，释放存储空间，但这个过程会影响性能。特别是当SSD的数据存储接近容量时，性能下降更加明显。

视频提到了测试SSD时进行预处理的重要性，预处理可以模拟现实使用中的垃圾回收过程，从而提供更加真实的性能数据。

为了获得更准确的测试结果，测试者应该在进行顺序写入或随机写入测试之前对硬盘进行相应的预处理。

未来的SSD技术：

随着技术的进步，3D NAND和VNAND技术逐渐普及。3D NAND通过在同一硅片上叠加多个层，类似于高层建筑，提高存储密度，减少错误率。

这种技术虽然在成本上略有增加，但通过提高存储密度来弥补成本的增加，未来它有望成为主流。

SSD的实际测试：

视频最后提到，用户可以通过Iometer等工具进行SSD性能测试，尤其是4K随机写入测试，这对于游戏玩家和需要处理小文件的用户非常重要。

另外，建议在测试SSD性能时进行安全擦除或初始条件设置，这样可以准确反映硬盘在垃圾回收前后的性能变化。

这个视频深入探讨了不同闪存技术的优缺点，并提供了一些测试SSD性能的方法，尤其是如何通过预处理来模拟现实使用场景。通过更强大的纠错技术和未来3D NAND等新技术的引入，SSD的性能和可靠性将继续提高。

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