我们在2024年5月13日做过针对在韩国首尔召开的IEEE IMW (International Memory Workshop 5.12-5.15.2024)座谈会的介绍，想回溯看一下的点击这里“IEEE国际存储座谈会 + 针对NAND/新型存储测试技术面对面交流预约”，2024年12月一年一度的IEEE IEDM (International Electron Devices Meeting)作为全球微电子与纳米电子领域的风向标会议，也涉及大量的新型存储技术的最新进展，我在2025年1月份和参会的美国工程师沟通过后本来想写点东西，后来一直拖延没有来得及写。现在春节刚过，抽出时间重点归纳总结了一下本次会议涉及的新型存储技术MRAM, ReRAM, FeRAM, PCM以及中国公司的参与情况，供大家参考。

 

IEEE IEDM 2024会议总结

一、会议简介与历史由来

IEEE International Electron Devices Meeting（IEDM）是全球微电子与纳米电子领域最具影响力的学术会议之一，每年12月举办，汇聚了来自全球的科研人员、工程师及行业领袖，探讨半导体器件技术、制造工艺、物理建模及电路-器件交互等前沿议题。

IEDM的历史可追溯至1955年，当时首届会议在华盛顿特区Shoreham Hotel举办，旨在促进电子器件技术的交流与发展。会议自1965年起与摩尔定律结下不解之缘，戈登·摩尔在IEDM上进一步阐述其集成电路复杂度每两年翻倍的预测，奠定了IEDM在半导体行业的标志性地位。

二、2024年第70届IEDM概况

第70届IEEE IEDM于2024年12月7日至11日在旧金山Union Square Hilton酒店举行。本届会议的主题聚焦于AI时代的半导体创新、能源高效架构及宽禁带功率电子技术等，涵盖半导体制造、存储器技术、量子器件、光电子、3D集成等领域。

1. 重要主题演讲

• 半导体产业展望与技术前沿：台积电执行副总裁Y-J. Mii主讲，探讨先进制程与技术趋势。

• AI架构与系统集成创新：AMD技术产品工程高级副总裁Mark Fuselier分享低功耗AI计算架构。

• 碳化硅在可持续能源中的应用：Wolfspeed CTO Elif Balkas讲解宽禁带功率器件的突破性进展。

三、参会企业与科研机构统计

1. 按国家分布：

• 中国：34家机构

• 韩国：18家

• 美国：10家

• 台湾：4家

• 日本、法国、意大利等国也有代表参会

2. 按存储技术分类：

• MRAM（磁阻式随机存取存储器）：22篇论文

• ReRAM（阻变式存储器）：12篇论文

• Flash（闪存）：17篇论文

• FeRAM（铁电存储器）：14篇论文

• PCM（相变存储器）：9篇论文

四、中国参会机构及技术亮点

• 清华大学、北京大学、复旦大学、上海科技大学、北航、北理工、浙大、电子科大等高校：在ReRAM、MRAM及PCM等领域取得重要研究成果。

• 中科院、北京元芯碳基集成电路研究院、致真存储等企业：展示了高可靠性嵌入式ReRAM、高速MRAM芯片及神经网络计算芯片等。

• 代表性论文示例：

• ReRAM加速器：基于阻变存储器的神经微分方程求解器，加速AI模型推理。

• MRAM技术突破：128Kb SOT-MRAM芯片，写入速度5ns，耐久度超10^10次。

• FeRAM高温可靠性优化：32Kb铁电存储芯片，在175℃下展现出色的性能稳定性。

五、会议日程概览

• 12月8日（周日）：技术创新与AI系统专题研讨会

• 12月9日（周一）：开幕式与颁奖、AI存储技术、3D集成、光电子等专题

• 12月10日（周二）：嵌入式存储器、神经接口技术、计算内存硬件、先进封装等

• 12月11日（周三）：铁电存储、3D集成电路、生物传感器、新型磁性器件等

六、热点研究方向解析

1. 存内计算（CIM）架构

CIM技术成为本届IEDM的热门议题，旨在减少数据在处理器与存储器之间的传输瓶颈，显著提升AI推理效率。多项论文展示了基于ReRAM和PCM的计算内存芯片，适用于神经网络加速与边缘计算。

2. 新型存储器技术

MRAM、ReRAM和FeRAM等新型非易失性存储器在高速读写、低功耗及高耐久性方面取得突破，推动嵌入式系统与AI芯片的发展。

3. 3D集成与异构封装

随着摩尔定律趋缓，3D集成技术成为性能提升的新路径。本届IEDM展示了多层3D NAND架构、异构芯片封装及先进互连技术。

4. 宽禁带半导体与功率电子

SiC和GaN等宽禁带半导体在高频、高功率应用中表现出卓越性能，适用于电动汽车、可再生能源及5G通信领域。

七、总结

IEEE IEDM 2024展示了半导体领域的最新突破，反映了AI计算需求驱动下的技术变革趋势。中国科研机构与企业在存储器、计算架构及材料创新方面的活跃表现，凸显了其在全球半导体生态中的重要地位。未来，计算内存、3D集成及宽禁带功率器件等领域有望引领新一轮技术革新。

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NplusT公司位于意大利，为非易失性存储器提供测试和characterization设备和服务以及数据分析软件工具，针对MRAM, ReRAM, FeRAM, PCM等新型存储推出了测试工具，其技术专家 Tamas Kerekes将在2025年3月初来中国就新型存储测试做技术交流，感兴趣的朋友可以提前预约时间面对面交流。

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如果想了解本次爆火的MRAM, ReRAM, FeRAM, PCM以及闪存Flash的技术原理和相关原型测试，请参考《PCIe5&6.0, CXL, NVMeNVMoF, SSD, NAND, DDR5, 800GE测试技术和工具白皮书_ver11.11》的Chatper 7.2章节：新型闪存技术研发测试平台TESTMESH系列。同时请关注我们公众号，我们将在2025年2月份增加更多全球业内针对计算、网络、存储技术最新的发展情况，推出《PCIe5&6.0, CXL, NVMeNVMoF, SSD, NAND, DDR5, 800GE测试技术和工具白皮书_ver12.0》。

如果你需要本次会议的更进一步的信息，也请按照下面的方式联系我们。

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